Значение ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР в Большой советской энциклопедии, БСЭ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР

детектор в ядерной физике, прибор для регистрации ионизирующих излучений , основным элементом которого является кристалл полупроводника . П. д. работает подобно ионизационной камере с тем отличием, что ионизация происходит не в газовом промежутке, а в толще кристалла. П. д. представляет собой полупроводниковый диод , на который подано обратное (запирающее) напряжение (~ 102 в ). Слой полупроводника вблизи границы р-n -перехода ( см. Электронно-дырочный переход ) с объёмным зарядом 'обеднён' носителями тока (электронами проводимости и дырками) и обладает высоким удельным электросопротивлением. Заряженная частица, проникая в него, создаёт дополнительные (неравновесные) электронно-дырочные пары, которые под действием электрического поля 'рассасываются', перемещаясь к электродам П. д. В результате во внешней цепи П. д. возникает электрический импульс, который далее усиливается и регистрируется (см. рис. ).

Заряд, собранный на электродах П. д., пропорционален энергии, выделенной частицей при прохождении через обеднённый (чувствительный) слой. Поэтому, если частица полностью тормозится в чувствительном слое, П. д. может работать как спектрометр. Средняя энергия, необходимая для образования 1 электронно-дырочной пары в полупроводнике, мала (у Si 3,8 эв, у Ge ~ 2,9 эв ) . В сочетании с высокой плотностью вещества это позволяет получить спектрометр с высокой разрешающей способностью (~ 0,1% для энергии ~ 1 Мэв ) . Если частица полностью тормозится в чувствительном слое, то эффективность её регистрации ~ 100%. Большая подвижность носителей тока в Ge и Si позволяет собрать заряд за время ~10 нсек, что обеспечивает высокое временное разрешение П. д.

В первых П. д. (1956-57) использовались поверхностно-барьерные (см. Шотки диод )или сплавные p-n -переходы в Ge. Эти П. д. приходилось охлаждать для снижения уровня шумов (обусловленных обратным током), они имели малую глубину чувствительной области и не получили распространения. Практическое применение получили в 60-е гг. П. д. в виде поверхностно-барьерного перехода в Si ( рис. , а). Глубина чувствительной области W в случае поверхностно-барьерного П. д. определяется величиной запирающего напряжения V:

W 5,3×10-5 .

Здесь r - удельное сопротивление полупроводника в ом × см. Для поверхностно-барьерных переходов в Si c r 104 ом × см при V (1 - 2)102 в, W 1 мм. Эти П. д. имеют малые шумы при комнатной температуре и применяются для регистрации короткопробежных частиц и для измерения удельных потерь энергии dEldx.

Для регистрации длиннопробежных частиц в 1970-71 были созданы П. д. р-i-n -типа ( рис. , б). В кристалл Si р -типа вводится примесь Li. Ионы Li движутся в р -области перехода (под действием электрического поля) и, компенсируя акцепторы, создают широкую чувствительную i -область собственной проводимости, глубина которой определяется глубиной диффузии ионов Li и достигает 5 мм. Такие дрейфовые кремний-литиевые детекторы используются для регистрации протонов с энергией до 25 Мэв, дейтронов - до 20 Мэв, электронов - до 2 Мэв и др.

Дальнейший шаг в развитии П. д. был сделан возвращением к Ge, обладающему большим порядковым номером Z и, следовательно, большей эффективностью для регистрации гамма-излучения . Дрейфовые германий-литиевые плоские (планарные) П. д. применяются для регистрации g-квантов с энергией в несколько сотен кэв. Для регистрации g-квантов с энергией до 10 Мэв используются коаксиальные германий-литиевые детекторы ( рис. , в) с чувствительным объёмом достигающим 100 см3. Эффективность регистрации g-квантов с энергией < 1 Мэв ~ десятков % и падает при энергиях > 10 Мэв до 0,1-0,01%. Для частиц высоких энергий, пробег которых не укладывается в чувствительной области, П. д. позволяют, помимо акта регистрации частицы, определить удельные потери энергии dEldx, а в некоторых приборах координату х частицы (позиционно-чувствительные П. д.).

Недостатки П. д.: малая эффективность при регистрации g-квантов больших энергии; ухудшение разрешающей способности при загрузках > 104 частиц в сек; конечное время жизни П. д. при высоких дозах облучения из-за накопления радиационных дефектов (см. Радиационные дефекты в кристаллах ) . Малость размеров доступных монокристаллов (диаметр ~ 3 см, объём ~ 100 см3 )ограничивает применение П. д. в ряде областей.

Дальнейшее развитие П. д. связано с получением 'сверхчистых' полупроводниковых монокристаллов больших размеров и с возможностью использования GaAs, SiC, CdTe (см. Полупроводниковые материалы ) . П. д. широко применяются в ядерной физике, физике элементарных частиц, а также в химии, геологии, медицине и в промышленности.

Лит.: Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение, М., 1967; Дирнли Дж., Нортроп Д., Полупроводниковые счетчики ядерных излучений, пер. с англ., М., 1966; Полупроводниковые детекторы ядерного излучения, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, в. 25, М., 1971 (Авт.: Рывкин С. М., Матвеев О. А., Новиков С. Р., Строкан Н. Б.).

А. Г. Беда. В. С. Кафтанов.

Большая советская энциклопедия, БСЭ.