полупроводниковый диод, полупроводниковый диод для управления уровнем мощности в линиях передачи электрических колебаний СВЧ. Применяется в различных переключателях, электрически управляемых аттенюаторах, модуляторах, фазовращателях и т.д. Известны П. п. д. с р - n -переходом, контактом металл - полупроводник (барьер Шотки), р - i - n -структурой (наиболее распространены), а также со структурой металл - диэлектрик -полупроводник. Их действие основано на зависимости полного электрического сопротивления от подводимого напряжения. Например, при прохождении через кремниевый П. п. д. с р - i - n -структурой прямого тока смещения ~ 0,1 а он схемно эквивалентен активному сопротивлению £ 1 ом, а при обратном смещении и при нулевом смещении - ёмкости 0,1 - 1 пф и активному сопротивлению ~ 1 ом, соединённым последовательно. В отличие от электромеханических устройств и устройств с ионными приборами, устройства с П. п. д. обладают миниатюрными размерами и малой массой, повышенными надёжностью и быстродействием (скорость срабатывания от нескольких нсек до нескольких мксек ). Перспективны в интегральных схемах .
Л. С. Либерман.