полупроводниковый прибор для регистрации частиц и
измерения их энергии. Представляет собой электронно-дырочный переход на
основе кристаллов Ge или Si. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе
может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая
подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность
сигнала.