полупроводниковый диод , обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом ( р v n -переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n- области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.
Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на рvn -переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор , используют для управления электрическим током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через рvn -переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент , используют в качестве генератора фотоэдс .
Основные параметры Ф.: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10-14 вт/гц 1/2; 2) уровень шумов v не свыше 10-9 а ; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3v15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5v1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10-7v10-8 сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. с рvn -cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в рvn -переходе, основанное на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 102v104. Существуют также Ф. с рvivn -cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с рvn -cтруктурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10-10 сек).
Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п.
Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с рvn-переходами, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.
И. Ф. Усольцев.