гетеропереход , контакт двух различных по химическому составу полупроводников . На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны D E , подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В 'резком' П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см. Электронно-дырочный переход ) . В зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать р-n- гетеропереходы (анизотипные), р-р- и n-n -гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и р-n -переходов образуют гетероструктуры.
Идеальная стыковка кристаллических решёток в П. г. возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П. г. граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов ( дислокаций , заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические П. г. между полупроводниковыми соединениями типа AIIIBV и их твёрдыми растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение химического состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллических П. г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых кристаллов.
П. г. используются в различных полупроводниковых приборах: полупроводниковых лазерах , светоизлучающих диодах , фотоэлементах , оптронах и т.д.
Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, 'Квантовая электроника', 1972, | 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.
Ж. И. Алферов.