материалы , полупроводники , применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. В полупроводниковой электронике используют главным образом кристаллические П. м. Большинство из них имеет кристаллическую структуру с тетраэдрической координацией атомов, характерной для структуры алмаза .
Значительную роль в развитии полупроводниковой техники сыграл селен : селеновые выпрямители долгое время оставались основными полупроводниковыми приборами, получившими массовое применение.
В начале 70-х гг. 20 в. наиболее распространённые П. м. - кремний и германий . Обычно их изготовляют в виде массивных монокристаллов , легированных различными примесями. Легированные монокристаллы Si с удельным сопротивлением 10-3-104 ом × см получают преимущественно методом вытягивания из расплава (по Чохральскому), а легированные монокристаллы Ge с удельным сопротивлением 0,1-45 ом × см получают, кроме того, зонной плавкой . Как правило, примесные атомы V группы периодической системы (Р, As и Sb) сообщают кремнию и германию электронную проводимость, а примесные атомы III группы (В, Al, Ga, In) - дырочную. Si и Ge обычно используют для изготовления полупроводниковых диодов , транзисторов , интегральных микросхем и т.д.
Большую группу П. м. составляют химические соединения типа AIII BV (элементов III группы с элементами V группы) - арсениды, фосфиды, антимониды, нитриды (GaAs, InAs, GaP, lnP, InSb, AlN, BN и др.). Их получают различными методами изготовления монокристаллов как из жидкой, так и из газовой фазы. Синтез и выращивание монокристаллов обычно производят в замкнутых сосудах из высокотемпературных химически инертных материалов, обладающих высокой прочностью, поскольку давление насыщенного пара над расплавом таких элементов, как Р и As, сравнительно велико. Примеси элементов II группы придают этим П. м., как правило, дырочную проводимость, а элементов IV группы - электронную. П. м. этой группы используют в основном в полупроводниковых лазерах , светоизлучающих диодах , Ганна диодах , фотоэлектронных умножителях , в качестве плёночных детекторов излучения в рентгеновской, видимой и инфракрасной областях спектра электромагнитных волн.
П. м. типа AiiBvi из которых наиболее широко применяют соединения ZnO, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe, HgSe, CdTe, ZnTe, HgTe, получают преимущественно с помощью химических реакций в газовой фазе или сплавлением компонентов. Удельное сопротивление и тип проводимости этих П. м. определяются не столько легирующими примесями, сколько характерными для них структурными дефектами, связанными с отклонением их состава от стехиометрического (см. Стехиометрия ) . Использование П. м. этого типа связано главным образом с их оптическими свойствами и фоточувствительностью. Поэтому их применяют в фоторезисторах , фотоэлементах , электроннолучевых приборах и приборах ночного видения, модуляторах оптического излучения (см. Модуляция света ) и т.д.
К П. м. относят также некоторые аморфные стеклообразные халькогенидные системы, например сплавы Р, As, Sb, Bi с Ge, S, Se, Te, и оксидные системы, например V2O5 - P2O5 - RxOy , где R - металлы I - IV групп, х - число атомов металла и у - число атомов кислорода в окисле. Их используют главным образом в качестве оптических покрытий в приборостроении.
Таблица некоторых физических свойств важнейших полупроводниковых материалов
Элемент, тип соедине-
ния
Наиме-
нование материа-
ла
Ширина запрещенной зоны, эв
Подвижность носителей заряда, 300 K, см2/(в × сек )
Кристал-лическая структура
Постоян-
ная решётки,
Темпера-
тура плавле-
ния, |С
Упругость пара при темпера-
туре плавле-
ния, атм
при
300 К
при 0 К
элек-
троны
дырки
Элемент
С (алмаз)
5,47
5,51
1800
1600
алмаз
3,56679
4027
10-9
Ge
0,803
0,89
3900
1900
типа алмаза
5,65748
937
Si
1,12
1,16
1500
600
'
5,43086
1420
10-6
a-Sn
~0,08
'
6,4892
IV-IV
a-SiC
3
3,1
400
50
типа сфалерита
4,358
3100
III-V
AISb
1,63
1,75
200
420
типа сфалерита
6,1355
1050
< 0,02
BP
6
'
4,538
> 1300
> 24
GaN
3,5
типа вюртцита
3,186 (по оси a )5,176 (по оси с)
> 1700
> 200
GaSb
0,67
0,80
4000
1400
типа сфалерита
6,0955
706
< 4×10-4
GaAs
1,43
1,52
8500
400
то же
5,6534
1239
1
GaP
2,24
2,40
110
75
'
5,4505
1467
35
InSb
0,16
0,26
78000
750
'
6,4788
525
< 4×10-5
InAs
0,33
0,46
33000
460
'
6,0585
943
0,33
InP
1,29
1,34
4600
150
'
5,8688
1060
25
II-VI
CdS
2,42
2,56
300
50
типа вюртцита
4,16 (по оси a )6,756 (по оси с)
1750
CdSe
1,7
1,85
800
типа сфалерита
6,05
1258
ZnO
3,2
200
кубич.
4,58
1975
ZnS
3,6
3,7
165
типа вюртцита
3,82 (по оси a) 6,26 (по оси с)
1700
IV-VI
PbS
0,41
0,34
600
700
кубич.
5,935
1103
PbTe
0,32
0,24
6000
4000
то же
6,460
917
П. м. в широких пределах изменяют свои свойства с изменением температуры, а также под влиянием электрических и магнитных полей, механических напряжений, облучения и др. воздействий. Этим пользуются для создания различного рода датчиков .
П. м. характеризуются следующими основными параметрами: удельным сопротивлением, типом проводимости, шириной запрещенной зоны, концентрацией носителей заряда и их подвижностью, эффективной массой и временем жизни. Ряд характеристик П. м., например ширина запрещенной зоны и эффективная масса носителей, относительно слабо зависит от концентрации химических примесей и степени совершенства кристаллической решётки. Но многие параметры практически полностью определяются концентрацией и природой химических примесей и структурных дефектов. Некоторые физические свойства важнейших П. м. приведены в таблице.
В электронных приборах П. м. используют как в виде объёмных монокристаллов, так и в виде тонких моно- и поликристаллических слоев (толщиной от долей мкм до нескольких сотен мкм ) , нанесённых на различные, например изолирующие или полупроводниковые, подложки (см. Микроэлектроника ) . В таких устройствах П. м. должны обладать определёнными электрофизическими свойствами, стабильными во времени и устойчивыми к воздействиям среды во время эксплуатации. Большое значение имеют однородность свойств П. м. в пределах монокристалла или слоя, а также степень совершенства их кристаллической структуры (плотность дислокаций, концентрация точечных дефектов и др.).
В связи с высокими требованиями к чистоте и совершенству структуры П. м. технология их производства весьма сложна и требует высокой стабильности технологических режимов (постоянства температуры, расхода газовой смеси, продолжительности процесса и т.д.) и соблюдения специальных условий, в частности т. н. полупроводниковой чистоты аппаратуры и помещений (не более 4 пылинок размером свыше 0,5 мкм в 1 л воздуха). Продолжительность процесса выращивания монокристаллов в зависимости от их размеров и вида П. м. составляет от нескольких десятков мин до нескольких сут. При обработке П. м. в промышленных условиях используют процессы резания П. м. алмазным инструментом, шлифовки и полировки их поверхности абразивами, термической обработки, травления щелочами и кислотами.
Контроль качества П. м. весьма сложен и разнообразен и выполняется с помощью специализированной аппаратуры. Основные контролируемые параметры П. м.: химический состав, тип проводимости, удельное сопротивление, время жизни носителей, их подвижность и уровень легирования. Для анализа состава П. м. обычно пользуются оптическими, спектральными, масс-спектроскопическими и активационными методами. Электрофизические характеристики измеряют т. н. зондовыми методами или используют Холла эффект . Совершенство структуры монокристаллов исследуют методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии. Толщину слоев измеряют либо бесконтактными оптическими методами, либо методами сошлифовки слоя.
Лит.: Технология полупроводниковых материалов, пер. с англ., М., 1961; Родо М., Полупроводниковые материалы, пер. с франц., М., 1971; Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973; Палатник А. С., Сорокин В. К., Основы пленочного полупроводникового материаловедения, М., 1973; Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ, М., 1973.
Ю. Н. Кузнецов, А. Ю. Малинин.