ЃАННА ЭФФЕКТ, генерация высокочастотных колебаний электрич. тока в полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой (рис.). Г.э. связан с периодич. появлением в кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. поля, к-рая наз. доменом Ганна. Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAs длиной 50-30 мкм частота колебаний 0,3-2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях СВЧ. Открыт Дж. Ганном в 1963.
Вольт-амперная характеристика: Е - электрическое поле, создаваемое приложенной разностью потенциалов; j— плотность тока.