эшелет (франц. echelette, от echelle - лестница), отражательная дифракционная решетка , способная концентрировать дифрагированное излучение в спектре одного порядка (см. Порядок интерференции ), ослабляя остальные, в том числе и самый яркий спектр нулевого порядка. Изменения распределения излучения по спектрам и высокой концентрации энергии в узкой спектральной области достигают, вводя дополнительную разность хода в пределах каждого отдельного штриха, имеющего, как правило, треугольный профиль. Отражательные решётки типа Э. обычно нарезают специальными резцами на металлической поверхности (медь, латунь, алюминий) и используют для наблюдения спектров 5-10 порядков в инфракрасной области. Возможно также создание Э. для видимой и ультрафиолетовой спектральных областей.
Э. представляет собой систему одинаковых зеркальных площадок ( рис. ) шириной а , плоскости которых параллельны одна другой и образуют с плоскостью заготовки угол i . При падении на Э. параллельного пучка лучей на каждой зеркальной площадке происходит дифракция, как на узкой щели, и пучки, продифрагировавшие на всех площадках, интерферируют. Концентрация энергии излучения в заданном направлении происходит при выполнении следующих условий: 1) направление на нулевой максимум от отдельного зеркального элемента (штриха) совпадает i с направлением на главный дифракционный максимум от всей решётки; 2) направление на спектр нулевого порядка всей решетки совпадает с направлением минимума при дифракции от отдельного зеркального элемента. Первое требование означает, что направление j из условия максимумов для отражательной решётки d (siny + sinj) nl должно совпадать с углом b -a. Приняв во внимание правило знаков и учитывая соотношения вида j i - a и y i + a, получают выражение 2 cos (y - i ) sin i nld, позволяющее по заданному углу падения и длине волны l вычислить угол наклона зеркальной грани i , называемый 'углом блеска' и изменяющийся у современных Э. в пределах 5-20|. Второе требование означает, что для спектра нулевого порядка, т. е. при y -j, рассматриваемое направление должно совпадать с направлением b из условия минимумов при дифракции от отд. зеркального элемента: a(sina + sinb) kl. Учёт соотношения - b y + i даёт выражение 2sin i cos i кl /а , которое при известном профиле штриха i позволяет вычислить его ширину а . Если условия 1-е и 2-е выполняются, максимум отражённой от решётки энергии располагается в направлении j 2 i - y, совпадающем с направлением зеркального отражения от плоскости штриха. Отражательные решётки чаще всего используют в т. н. автоколлимационной схеме, для которой j y i . Из условия максимумов для этого случая легко получить длину волны, которой соответствует максимум концентрации энергии: nlmax 2 d sin i . Область длин волн вблизи lmax называется областью высокой концентрации энергии в данном порядке спектра n . Современные Э. в спектре одного порядка концентрируют до 70-80% энергии падающего излучения. Использование Э. позволяет создавать спектральные приборы, не уступающие по светосиле лучшим приборам с дисперсионными призмами . В СССР изготовляют Э. с числом штрихов от 600 на 1 мм для видимой области до 0 , 3 штриха на 1 мм для далёкой инфракрасной области (длины волн ~500 мкм ). Размеры Э. от 100 х 100 мм (100-300 штрихов на мм ) до 300 х 300 мм для Э. с 12 и менее штрихами на 1 мм .
Лит.: Пейсахсон И. В., Оптика спектральных приборов, Л., 1975; Нагибина И. М., Интерференция и дифракция света, Л., 1974; Калитеевский Н. И., Волновая оптика, М., 1971.
Л. Н. Капорский.