ТРАНЗ́ИСТОР (от англ. transfer - переносить и резистор ), полупроводн. прибор для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний, выполненный на основе монокристаллич. полупроводника (преим. Si или Gе), содержащего не менее трёх областей с разл. - электронной ( n ) и дырочной ( p ) - проводимостью. Изобретён в 1948 американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физ. структуре и механизму управления током различают Т. биполярные (чаще наз. просто Т.) и униполярные (чаще наз. полевыми транзисторами ). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых - либо электроны, либо дырки. Термин "Т." нередко используют для обозначения портативных радиовещат. приёмников на полупроводн. приборах.
Условное обозначение биполярного транзистора n-р-n-типа в электрических схемах (на примере усилителя электрических колебаний): Э, К, Б - соответственно эмиттер, коллектор и база; R - нагрузка; Е - источник постоянного тока.