прибор, основанный на возникновении так
называемого туннельного тока между поверхностью проводника и металлическим
острием, удаленным от нее на расстояние z около 0,1 нм (при разности
потенциалов между ними порядка 1 В). При перемещении острия вдоль поверхности
(сканировании) и поддержании тока постоянным за счет изменения z можно
получить рельеф поверхности проводника с точностью до размеров атомов и
молекул, т.е. исследовать атомное строение поверхности, структуру отдельных
молекул, адсорбцию, поверхностные химические процессы и др. За создание
туннельного растрового микроскопа в 1986 Э. Руске, Г. Биннингу (ФРГ) и Г.
Рореру (Швейцария) присуждена Нобелевская премия.