Значение ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ в Большой советской энциклопедии, БСЭ

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ

умножитель (ФЭУ), электровакуумный прибор , в котором поток электронов, эмитируемый фотокатодом под действием оптического излучения (фототок), усиливается в умножительной системе в результате вторичной электронной эмиссии ; ток в цепи анода (коллектора вторичных электронов) значительно превышает первоначальный фототок (обычно в 105 раз и выше). Впервые был предложен и разработан Л. А. Кубецким в 1930v34.

Наиболее распространены ФЭУ, в которых усиление электронного потока осуществляется при помощи системы дискретных динодов v электродов корытообразной, коробчатой или жалюзийной формы с линейным (см. рис. ) либо (реже) круговым расположением, обладающих коэффициентом вторичной эмиссии s > 1 . В таких ФЭУ для ускорения и фокусировки электронов катодной камере (собирающей электроны, вылетевшие с фотокатода, в пучок и направляющей этот пучок на вход динодной системы), динодам и аноду сообщают определенные потенциалы относительно фотокатода при помощи высоковольтного источника (напряжением 600v3000 в ). Кроме электростатической фокусировки, в ФЭУ иногда применяют магнитную фокусировку и фокусировку в скрещенных электрическом и магнитном полях.

Существуют также ФЭУ с умножительной системой, представляющей собой непрерывный (распределённый) динод v одноканальный, в виде трубки (канала) с активным (s > 1) слоем на её внутренней поверхности, обладающим распределённым электрическим сопротивлением, либо многоканальный, выполненный из т. н. микроканальной пластины. При подключении канала к источнику высокого напряжения в нём создаётся электрическое поле, ускоряющее вторичные электроны, которые многократно соударяются с внутренними стенками канала, вызывая при каждом столкновении вторичную электронную эмиссию с поверхности активного слоя.

Фотокатоды ФЭУ выполняют из полупроводников на основе соединений элементов I или III группы периодической системы Менделеева с элементами V группы (Css Sb, GaAs и др.). Полупрозрачные фотокатоды обычно наносят на внутреннюю поверхность входного окна стеклянного баллона ФЭУ. Для изготовления дискретных динодов используют следующие материалы: Cs3Sb, наносимый в виде слоя на металлическую подложку; сплавы CuBe, CuAlMg; эпитаксиальные слои GaP на Mo, обработанные O2 (см. Эпитаксия ) и др. Каналы непрерывных динодов изготавливают из стекла с высоким содержанием свинца (такие каналы после термообработки в H2 имеют удельное сопротивление поверхностного слоя 107v010 ом × м ) .

Основные параметры ФЭУ: световая анодная чувствительность (отношение анодного фототока к вызывающему его световому потоку при номинальных потенциалах электродов), составляет 1v104 а/лм; спектральная чувствительность (равная спектральной чувствительности фотокатода, умноженной на коэффициент усиления умножительной системы, лежащий обычно в пределах 103v108); темновой ток (ток в анодной цепи в отсутствие светового потока), как правило, не превышает 10-9v10-10 а.

Наибольшее применение ФЭУ получили в ядерной физике (спектрометрические ФЭУ; см. Сцинтилляционный счётчик )и в установках для изучения кратковременных процессов (временные ФЭУ). ФЭУ используют также в оптической аппаратуре, устройствах телевизионной и лазерной техники.

В 60-х гг. разработаны ФЭУ, в которых усиление фототока осуществляется бомбардировкой полупроводникового кристалла с электронно-дырочным переходом электронами с энергиями, достаточными для образования в кристалле парных зарядов электрон v дырка (такие ФЭУ называются гибридными).

Лит.: Берковский А. Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы, М., 1976.

В. А. Гаванин.

Большая советская энциклопедия, БСЭ.